AOD468技术参数

AOD468是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该器件内部集成了一个高性能的MOSFET单元，通过精密的半导体工艺控制沟道电阻和栅极电荷，为开关电源应用提供了一个高效可靠的功率开关解决方案。

该器件具备300V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够稳健地工作在离线式反激、正激等主流AC-DC电源拓扑中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达11.5A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为420毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为16nC（@10V），结合790pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动需求简单，开关速度快，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，AOD468的栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件的功率耗散能力在壳温条件下可达150W，结合其宽广的工作结温范围（-50°C ~ 175°C），使其能够适应严苛的环境和热条件。TO-252封装提供了良好的散热性能和便于自动化生产的表面贴装兼容性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，AOD468非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器、电机驱动控制以及照明镇流器等。它在工业电源、消费类电子适配器、LED驱动和家用电器中的电机控制等领域，都能作为核心功率开关元件，有效提升整机能效与可靠性。

• 制造商产品型号：AOD468
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：300V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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