AOD486A技术参数

AOD486A 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的封装尺寸内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡。其核心设计旨在提供低导通损耗与快速开关特性，以满足高效率功率转换应用的需求。

该器件具备40V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见24V及以下母线电压系统中的应用余量与可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达50A，展现出强大的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为9.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下为22nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，AOD486A 采用标准的N沟道MOSFET三引脚配置，兼容广泛的栅极驱动IC。其驱动电压范围宽泛，最小开启电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，而标准驱动电平为4.5V至10V，使其既能兼容3.3V逻辑电平，也能在10V驱动下获得最优的导通性能。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了良好的抗干扰能力。器件的热设计考虑了实际应用环境，在环境温度（Ta）下最大功耗为2W，而当通过PCB有效散热时，壳温（Tc）条件下的最大功耗可达50W，结温（Tj）工作范围宽至-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其高电流能力、低导通电阻和良好的开关特性，AOD486A 非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护与充放电管理模块，以及各类电源系统中的负载开关。其TO-252封装兼顾了功率耗散与PCB占板面积，是工业控制、通信设备、消费类电子电源等领域的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD486A
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1920pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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