AOD514技术参数

AOD514是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，专为高效率、高密度电源转换应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，这是评估MOSFET开关性能与损耗的关键指标。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻典型值低至6.5毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其最大栅极电荷仅为22.5nC（@10V），意味着开关过程中所需的驱动能量更小，这不仅降低了驱动电路的负担，也显著减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达46A，展现出强大的电流处理能力，而高达175°C的结温（TJ）工作范围确保了其在严苛环境下的可靠性。

在电气参数方面，AOD514的阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.6V，标准逻辑电平即可有效驱动，兼容性良好。其驱动电压范围宽至4.5V至10V，为设计提供了灵活性。输入电容（Ciss）最大值为951pF，结合低Qg特性，共同优化了开关速度。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。该器件支持高达50W（Tc）的功率耗散，配合TO-252封装良好的热性能，能满足持续高功率输出的散热需求。

基于其高性能参数组合，AOD514非常适合应用于同步整流、DC-DC转换器、电机驱动以及各类负载开关等场景。在服务器电源、通信设备、电动工具和汽车辅助系统等对效率、功率密度及可靠性要求极高的领域，它能有效降低系统能耗与温升，是工程师实现紧凑、高效电源设计的优选功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOD514
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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