AOD518_050技术参数

AOD518_050是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率开关器件。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的单元结构和制造工艺，在TO-252（D-Pak）紧凑型封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件旨在为设计工程师提供一个在中等电压下兼具低导通损耗和快速开关能力的可靠解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22.5nC，结合951pF的典型输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够稳健地应用于多种低压电源环境。

在电气参数方面，AOD518_050提供了宽泛的工作裕度。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为15A，在管壳温度（Tc）下可达54A，展现了强大的电流处理能力。栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.6V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能与多种逻辑电平控制器兼容。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下为50W，结合TO-252封装良好的热传导路径，确保了在高温环境下的稳定运行，结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C。

凭借其表面贴装型封装和优异的性能组合，该器件非常适合用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类负载开关。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品的详细资料、样品及采购信息。尽管其零件状态已标注为停产，但其设计理念和性能参数仍为后续替代型号的开发与选型提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AOD518_050
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD518_050现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。