AOD5N50技术参数

AOD5N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的封装内实现了高电压与高电流的处理能力，其核心架构旨在优化功率转换效率与开关性能。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够在高压环境下稳定工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，展现了良好的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.5A电流条件下典型值仅为1.6欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率并减少发热。栅极驱动设计灵活，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在动态特性方面，AOD5N50的栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为14nC，输入电容（Ciss）在25V条件下最大值为670pF，这些参数共同决定了其快速的开关速度与较低的开关损耗，特别适合高频开关应用。其最大功耗在壳温条件下可达104W，结合-50°C至150°C的宽结温工作范围，确保了器件在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，可以通过官方授权的AOS代理商进行采购与咨询。

凭借其高压、中电流、低导通电阻及快速开关的特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明系统的电子镇流器等场景。其TO-252封装兼顾了功率耗散与PCB空间利用率，是空间受限且要求高效散热的现代电源设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD5N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：670pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD5N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。