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AOT2906技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V TO220
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AOT2906技术参数详情说明:

作为AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)旗下的一款高性能功率器件,AOT2906是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用经典的TO-220封装,适用于通孔安装。该器件设计用于处理高达100V的漏源电压,其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术,旨在实现高电流承载能力与低导通损耗之间的平衡。其内部结构经过优化,以提供稳健的电气性能和可靠的开关特性,满足工业级应用对功率开关元件的严格要求。

该MOSFET的一个突出功能特点是其卓越的电流处理能力。在壳温(Tc)条件下,其连续漏极电流(Id)额定值高达122A,这使得它能够胜任大功率通路的开关与控制任务。极低的导通电阻(Rds(on))是其关键性能指标之一,尽管具体数值未在基础参数中列出,但AOS的同类产品通常在此方面表现出色,能有效降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体效率。同时,其开关特性,包括栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),对于决定开关速度和驱动电路设计至关重要,直接影响高频应用中的性能表现。

在接口与参数方面,AOT2906采用标准的三引脚TO-220封装,便于在散热器上安装以实现有效的热管理。其电气接口清晰,包括栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。虽然部分动态参数如特定条件下的Rds(on)、Vgs(th)和Qg未在提供的简表中详述,但工程师在选型时需参考完整的数据手册,这些参数共同定义了器件的驱动要求、开关速度以及热设计边界。用户可通过官方AOS代理获取最详尽的技术资料和支持。

鉴于其高电压和超高电流的处理能力,AOT2906非常适合于要求严苛的功率应用场景。它常被用于工业电源系统,如开关模式电源(SMPS)的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路,以及不间断电源(UPS)和逆变器中的功率转换模块。在这些应用中,器件需要高效地切换大电流,同时承受一定的电压应力,AOT2906的规格使其成为此类高功率密度设计的潜在候选元件之一,尽管需注意其零件状态为停产,在新设计中选择时需考虑供应链的替代方案或库存情况。

  • 制造商产品型号:AOT2906
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:*
  • 零件状态:停产
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):122A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOT2906现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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