AOTF260L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF260L 是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其设计旨在为中等功率开关应用提供高效率与高可靠性。该器件采用TO-220-3F封装，具备通孔安装特性，便于在各类电源与电机驱动板上实现稳固的散热与电气连接。

该芯片的核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）。在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）的条件下，其最大导通电阻仅为2.6毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在210nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。

在电气参数方面，AOTF260L 拥有60V的漏源击穿电压（Vdss），为其在48V总线系统或类似电压环境中提供了充足的安全裕量。其电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达92A，而在环境温度（Ta）下也达到19A，展现了强大的功率处理潜能。器件支持最大±20V的栅源电压，并具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），最大值仅为3.2V @ 250A，确保了与多种逻辑电平驱动器的良好兼容性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达46.5W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的热环境。对于需要稳定供货与技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

综合其性能特点，AOTF260L 非常适用于需要高效率功率转换和控制的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制器（如电动工具、风扇）、锂离子电池保护电路以及各类工业电源中的负载开关。其优异的导通与开关特性，使其成为提升系统功率密度和能效比的优选元器件。

• 型号:AOTF260L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 19A/92A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta），92A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），46.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF260L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。