AOTF260L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF260L 是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其设计旨在为中等功率开关应用提供高效率与高可靠性。该器件采用TO-220-3F封装，具备通孔安装特性，便于在各类电源与电机驱动板上实现稳固的散热与电气连接。

该芯片的核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）。在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）的条件下，其最大导通电阻仅为2.6毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在210nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。

在电气参数方面，AOTF260L 拥有60V的漏源击穿电压（Vdss），为其在48V总线系统或类似电压环境中提供了充足的安全裕量。其电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达92A，而在环境温度（Ta）下也达到19A，展现了强大的功率处理潜能。器件支持最大±20V的栅源电压，并具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），最大值仅为3.2V @ 250A，确保了与多种逻辑电平驱动器的良好兼容性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达46.5W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的热环境。对于需要稳定供货与技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

综合其性能特点，AOTF260L 非常适用于需要高效率功率转换和控制的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制器（如电动工具、风扇）、锂离子电池保护电路以及各类工业电源中的负载开关。其优异的导通与开关特性，使其成为提升系统功率密度和能效比的优选元器件。

• 制造商产品型号：AOTF260L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 19A/92A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），92A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：210nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11800pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），46.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF260L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。