AOTF8T50P_001技术参数

AOTF8T50P_001是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于TO-220F通孔封装中。该器件构建于优化的高压工艺平台之上，其核心设计旨在平衡高耐压、低导通损耗与开关性能。其500V的漏源击穿电压（Vdss）为在离线式电源、电机驱动等存在电压应力的应用中提供了充足的裕量，而8A的连续漏极电流（Id）能力则确保了其能够处理可观的功率等级。

在电气特性方面，该器件展现出针对高效开关应用优化的性能组合。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、4A电流条件下典型值为810毫欧，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC @ 10V，结合905pF @ 100V的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需提供的开关能量较低，这有利于实现更快的开关速度、降低驱动损耗并简化栅极驱动设计。较低的Qg和Ciss对于高频开关电源拓扑（如反激、LLC谐振转换器）至关重要，能有效减少开关过渡过程中的损耗。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则为驱动设计提供了灵活性。

该MOSFET采用标准的TO-220F（全塑封）封装，提供了良好的电气绝缘与散热特性，其最大功率耗散能力为38W（基于壳温Tc）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于工业级宽温环境。尽管该型号目前已处于停产状态，其设计参数和性能表现仍可作为同类替代选型的重要参考。对于需要获取原厂技术资料或库存查询的工程师，建议通过官方AOS授权代理渠道进行咨询。

综合其高压、中电流、低栅极电荷以及TO-220F封装的特点，AOTF8T50P_001非常适用于要求成本效益与可靠性的功率转换场景。典型的应用领域包括离线式AC-DC开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及中小功率的电机驱动和逆变器。在这些应用中，它能够有效地执行功率开关功能，助力实现高功率密度和能源效率的系统设计。

• 制造商产品型号：AOTF8T50P_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：810 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：905pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF8T50P_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。