AOT10T60L技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 10A TO220
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AOT10T60L技术参数详情说明：
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOT10T60L 是一款采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET，专为高电压、高效率的开关应用而设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在优化功率密度与开关性能的平衡。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的安全工作裕度，而10A的连续漏极电流（Id）能力则确保了其在中等功率等级应用中的稳定输出。
该器件在导通特性上表现突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至700毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率并减少热耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关电源和电机驱动等应用至关重要，能够有效降低开关过程中的能量损失。
在接口与关键参数方面，AOT10T60L 的栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为1346pF，结合较低的Qg，共同决定了其优秀的动态响应特性。器件采用通孔安装的TO-220封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。其最大功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达208W，用户可通过AOS中国代理获取详细的热设计指导以充分发挥其性能。
凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，AOT10T60L 非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激或正激变换器的主开关管、不间断电源（UPS）的逆变模块以及工业电机驱动和照明镇流器等领域。在这些场景中，它能够有效处理高电压并实现高效的能量转换，是工程师构建可靠、高效功率系统的关键元件之一。
- 制造商产品型号：AOT10T60L
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1346pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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