AOI4126技术参数

AOI4126是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的SDMOS产品系列。该器件基于成熟的平面MOSFET工艺制造，其核心架构旨在实现高耐压与低导通电阻之间的优异平衡。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为开关应用提供了充足的电压裕量，而优化的单元设计有效降低了导通损耗，使其在功率转换系统中能显著提升效率。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的电流处理能力和快速的开关性能上。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为7.5A（Ta），而在管壳温度为25°C时，这一数值可高达43A（Tc），展现出强大的峰值电流承载潜力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为24毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为42nC @ 10V，配合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有利于降低开关损耗并提升系统工作频率。

在接口与关键参数方面，AOI4126采用标准的TO-251A（IPAK）通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散在管壳温度为25°C时可达100W，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与相关服务。

凭借上述特性，AOI4126非常适用于需要高效率和高可靠性的中功率应用场景。典型应用包括开关电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制电路以及各类功率开关模块。其优异的性能使其成为工业控制、消费类电子电源适配器、电动工具以及LED照明驱动等领域中，构建高效能功率解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AOI4126
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：42nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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