AOW418技术参数

AOW418是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的SDMOS产品系列。该器件采用TO-262通孔封装，其核心基于先进的平面MOSFET技术，旨在提供优异的开关性能与功率处理能力。其设计重点在于优化了单元密度与沟道电阻，从而在给定的芯片面积内实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这对于降低导通损耗、提升系统整体效率至关重要。

该器件的一个显著特点是其高电流承载能力。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为9.5A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达105A，这使其能够应对严苛的峰值电流或脉冲工作条件。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压下即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在83nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其漏源击穿电压（Vdss）为100V，提供了足够的电压裕量，适用于常见的48V及以下总线电压应用。

在电气参数方面，AOW418展现了均衡的性能。其10V驱动下、20A电流时的导通电阻典型值低至10毫欧，确保了高效的功率传输。阈值电压Vgs(th)最大值为3.9V，提供了良好的噪声抑制能力。器件支持高达±25V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合333W（Tc）的最大功率耗散能力，赋予了它出色的热性能和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取相关技术资料与采购信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和高电流能力的组合，这款MOSFET非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统中的功率开关部分。其TO-262封装具有良好的散热特性，便于在工业级和通信基础设施设备中实现稳定可靠的功率管理解决方案。

• 型号:AOW418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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