AON6440技术参数

AON6440是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SDMOS产品系列。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，集成于紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装内，具备优异的功率密度与热性能。其核心架构旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡，通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，显著降低了导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET的关键电气性能使其在诸多应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达40V，确保了在常见24V或更低电压总线系统中的可靠工作与足够的电压裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其最大导通电阻仅为3.4毫欧，这一极低的Rds(On)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，配合最大97nC的栅极总电荷（Qg @ 10V），意味着器件易于驱动且开关速度快，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路设计。

在功率处理能力上，AON6440在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）额定值为20A，而在管壳温度（Tc）条件下可高达85A，展现了其强大的电流承载潜力。其最大功率耗散在管壳温度条件下可达83W，结合带有裸露焊盘的DFN封装，为热量从芯片结到印刷电路板的高效传递提供了路径，从而支持更高的持续输出功率或更紧凑的散热设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取相关的技术资料与采购信息。

综合其40V的耐压、极低的导通电阻、快速的开关性能以及出色的热特性，AON6440非常适用于对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器、电机驱动控制器、电池保护电路以及各类电源管理模块。例如，在同步整流拓扑、电机H桥的下桥臂或高电流负载开关中，该器件能够有效降低系统温升，提升整体可靠性。尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍可作为同类器件选型时的重要参考基准。

• 型号:AON6440
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:97 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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