AOI4T60技术参数

AOI4T60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装形式为TO-251A（IPAK）。该器件设计用于高压开关应用，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的良好平衡。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠运行，为系统提供了坚固的电气隔离屏障。

在电气特性方面，AOI4T60在10V栅极驱动电压下展现出优异的性能。其导通电阻（Rds(on)）在1A电流条件下最大值为2.1欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，该器件的栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合460pF的输入电容（Ciss），意味着其所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，从而实现更高频率的开关操作。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为4A，最大功耗为83W，工作结温范围宽达-50°C至150°C，提供了良好的热性能余量。

该MOSFET采用通孔安装的TO-251A封装，这是一种广泛使用的工业标准封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于在PCB上进行可靠的焊接和热管理。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了足够的栅极驱动安全裕度。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品来源可靠性和获得完整供应链服务的重要途径。

基于其高压、低栅极电荷和适中的电流处理能力，AOI4T60非常适用于要求高效率和高可靠性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制中的功率转换模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的稳健性使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要参考价值。

• 制造商产品型号：AOI4T60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：460pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOI4T60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。