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AOK20B120E1技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 20A TO247
  • 专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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AOK20B120E1技术参数详情说明:

AOK20B120E1是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列功率开关器件。该器件采用先进的沟槽场截止(Trench Field Stop)IGBT架构,结合了优化的载流子寿命控制技术,旨在实现导通损耗与开关损耗之间的最佳平衡。其核心设计聚焦于提升中高功率应用场景下的整体能效与功率密度,通过降低饱和压降(Vce(on))和优化开关特性,有效减少了系统运行中的热损耗。

该器件在15V栅极驱动电压、20A集电极电流条件下,最大饱和压降仅为2.1V,展现了优异的导通性能。其栅极电荷(Qg)典型值为60.5nC,有助于降低驱动电路的损耗并简化驱动设计。开关特性方面,在600V、20A、15欧姆的标准测试条件下,其关断能量(Eoff)为830J,关断延迟时间(Td(off))为134ns,这些参数共同确保了其在硬开关和软开关拓扑中都能实现快速、干净的开关动作,从而降低开关噪声并提升电磁兼容性(EMC)表现。

AOK20B120E1具备1200V的集电极-发射极击穿电压和高达40A的连续集电极电流(Ic)额定值,脉冲电流(Icm)能力可达80A,最大功耗为333W。其宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)保证了其在严苛环境下的可靠运行。器件采用工业标准的TO-247-3通孔封装,具有良好的散热性能和机械强度,便于在功率模块或散热器上进行安装。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗性和获得完整技术服务的可靠途径。

凭借其高电压、大电流处理能力以及优化的开关性能,该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源(UPS)、光伏逆变器、电焊机以及各类开关模式电源(SMPS)的功率级。在这些应用中,它能够有效提升系统效率,降低运行温度,并最终帮助终端产品实现更长的使用寿命和更小的体积。

  • 制造商产品型号:AOK20B120E1
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 1200V 20A TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):80A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:333W
  • 开关能量:830J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:60.5nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-/134ns
  • 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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