AOTF16N50技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF16N50 是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其结构优化了单元密度和沟道迁移率，确保了在高压工作条件下依然能维持稳定的电气性能和可靠性。

该器件具备多项突出的电气特性。500V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，AOTF16N50 采用标准的TO-220-3F封装，便于通孔安装和散热处理。其连续漏极电流在壳温条件下额定为16A，最大功耗达50W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于开关电源（SMPS）的PFC和主开关电路、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与控制器、以及各类高频逆变器和功率转换模块。其稳健的设计使其成为要求高效率、高可靠性的中高功率离线式电源和电机控制应用的理想选择。

• 型号:AOTF16N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:370 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2297 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF16N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。