AOTF16N50技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF16N50 是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其结构优化了单元密度和沟道迁移率，确保了在高压工作条件下依然能维持稳定的电气性能和可靠性。

该器件具备多项突出的电气特性。500V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，AOTF16N50 采用标准的TO-220-3F封装，便于通孔安装和散热处理。其连续漏极电流在壳温条件下额定为16A，最大功耗达50W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于开关电源（SMPS）的PFC和主开关电路、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与控制器、以及各类高频逆变器和功率转换模块。其稳健的设计使其成为要求高效率、高可靠性的中高功率离线式电源和电机控制应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AOTF16N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：370 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2297pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOTF16N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。