AOSD26313C技术参数

Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 推出的 AOSD26313C 是一款采用紧凑型8-SOIC封装的高性能互补型MOSFET阵列。该器件集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET，旨在为空间受限的现代电子设计提供高效的功率开关解决方案。其核心架构基于AOS先进的沟槽技术，优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，从而在30V的漏源电压（V_DSS）额定值下实现了优异的电气性能。

该芯片的显著优势在于其极低的导通损耗。N沟道MOSFET在10V栅源驱动电压（V_GS）下，导通电阻典型值低至20毫欧（7A条件下）；对应的P沟道器件导通电阻为32毫欧（5.7A条件下）。这种低R_DS(on)特性直接转化为更低的传导损耗和发热，提升了系统整体效率。同时，器件具有优化的栅极电荷（Q_g，最大值分别为20nC和33nC）和输入电容（C_iss），这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，并减轻对驱动电路的压力，使其非常适合高频开关应用。

在电气参数方面，AOSD26313C的连续漏极电流（I_D）在环境温度（T_a）下分别可达7A（N沟道）和5.7A（P沟道），最大功耗为1.7W。其栅极阈值电压（V_GS(th)）设计适中，最大值分别为2.3V和2.2V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，简化了驱动电路设计。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合表面贴装（SMD）的8-SOIC封装，提供了可靠的机械稳定性和热性能，适用于严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关服务。

凭借其互补对设计、低导通电阻和快速开关能力，AOSD26313C广泛应用于需要高效半桥或同步整流拓扑的场合。典型应用包括DC-DC转换器（如同步降压或升压电路）、电机驱动H桥中的高边/低边开关、电源管理模块中的负载开关，以及电池保护电路。其紧凑的封装尤其适合空间宝贵的便携式设备、网络通信设备、计算机主板和各类消费电子产品中的功率管理单元。

• 制造商产品型号：AOSD26313C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 和 P 沟道互补型
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta），5.7A（Ta）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 7A，10V，32 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A，2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC，33nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：600pF @ 15V，1100pF @ 15V
• 功率-最大值：1.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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