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AOK20B120E2技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 20A TO-247
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AOK20B120E2技术参数详情说明:

AOK20B120E2是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用优化的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管(FRD)。这种架构在保持传统IGBT高电流密度和低导通压降优势的同时,通过精细的载流子寿命控制与电场分布优化,显著降低了关断损耗与开关噪声,实现了导通损耗与开关损耗之间的出色平衡。

其核心电气特性表现为1200V的集射极击穿电压40A的连续集电极电流能力,脉冲电流(Icm)更可高达80A,为应对电机启动等瞬时过载工况提供了充足的裕量。在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=20A),其饱和压降Vce(on)最大值仅为2.2V,这意味着在导通期间能有效降低功耗,提升系统整体效率。同时,其开关特性经过精心调校,关断能量(Eoff)典型值为820J,配合53.5nC的低栅极电荷,使得驱动电路设计更为简易,并能实现较高频率的稳定开关操作,这对于提升功率密度至关重要。

该器件采用工业标准TO-247-3通孔封装,具有良好的机械强度和散热性能,最大功耗为250W。其结温(TJ)工作范围宽达-55°C至175°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户,通过官方授权的AOS一级代理进行采购是保障产品正品与供应链安全的重要途径。

基于其高耐压、大电流与优化的开关性能,AOK20B120E2非常适用于对效率、可靠性及功率密度有较高要求的工业应用领域。典型应用场景包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电焊机等功率转换系统。在这些应用中,它能够作为核心开关元件,高效地处理中高功率级别的电能,是实现节能与高性能控制的关键元器件之一。

  • 制造商产品型号:AOK20B120E2
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 1200V 20A TO-247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):80A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:250W
  • 开关能量:820J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:53.5nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-/123ns
  • 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOK20B120E2现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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