AOT9N50技术参数

AOT9N50是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220通孔封装中，为工程师在高压、大电流应用场景中提供了一个高效可靠的开关解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，从而有效降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体能效。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下9A的连续漏极电流能力，展现出强大的耐压与载流性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为850毫欧，这意味着在导通状态下产生的热量更少，效率更高。同时，最大栅极电荷（Qg）低至28nC，结合1042pF的输入电容（Ciss），确保了快速的栅极充电与放电过程，有利于实现高频开关操作，并简化驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，AOT9N50采用三引脚TO-220封装，便于安装和散热。其驱动门槛电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范围，兼容常见的控制器。器件在壳温下的最大功率耗散高达192W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的数据手册、样品以及应用指导。

凭借其优异的电气特性和稳健的封装，AOT9N50非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制系统、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性，是工程师设计高压功率级时的优选器件之一。

• 制造商产品型号：AOT9N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 9A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1042pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：192W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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