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AOK30B60D技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 600V 60A 208W TO247
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AOK30B60D技术参数详情说明:

AOK30B60D是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,优化了载流子注入效率和漂移区电场分布,从而在导通损耗与开关速度之间取得了卓越的平衡。其内部集成了一个快速恢复二极管,为感性负载的续流提供了低损耗路径,简化了系统设计并提升了整体可靠性。

该芯片的核心优势在于其优异的电气性能。在15V栅极驱动电压、30A集电极电流条件下,其饱和压降Vce(on)典型值仅为2.1V,显著降低了导通状态下的功率损耗。同时,其开关特性经过精心优化,开启延迟时间与关断延迟时间分别仅为26ns和71ns,配合1.18mJ(开启)和200J(关断)的低开关能量,使得器件在高频开关应用中能够保持高效率,并有效降低电磁干扰。其栅极电荷仅为47nC,有助于降低对栅极驱动电路的要求,简化驱动设计。

在接口与关键参数方面,AOK30B60D采用标准的TO-247-3通孔封装,具有良好的散热性能和机械强度。其额定集电极-发射极击穿电压高达600V,最大连续集电极电流为60A,脉冲电流能力可达128A,最大功耗为278W。这些参数使其能够从容应对工业环境中的电压波动和瞬时过载。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在严苛温度环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和批量采购,可以联系AOS总代理

凭借高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性,这款IGBT非常适用于要求高功率密度和高可靠性的电能转换场景。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源(UPS)、电焊机以及光伏逆变器等。在这些系统中,它能够作为核心功率开关,高效地实现直流与交流之间的转换,或进行精确的电机调速控制,是提升整机能效和功率等级的关键元器件。

  • 制造商产品型号:AOK30B60D
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 600V 60A 208W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):128A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:278W
  • 开关能量:1.18mJ(开),200J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:47nC
  • 25°C时Td(开/关)值:26ns/71ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):137ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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