AOD7S60技术参数

AOD7S60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装形式为TO-252（D-Pak）。该器件设计用于在高压开关应用中提供高效、可靠的性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在降低开关损耗并提升整体能效。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够承受较高的功率等级。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、3.5A电流条件下典型值仅为600毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为8.2nC，结合372pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并提升系统开关频率。

在电气参数方面，AOD7S60的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.9V，确保了与标准逻辑电平或微控制器输出的良好兼容性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的峰值，提供了较强的抗干扰能力。器件采用表面贴装型TO-252封装，具有良好的散热特性，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达83W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方AOS代理商获取更详细的产品资料和供应链服务。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，AOD7S60非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及LED照明驱动等场景。在这些应用中，它能够有效提升电源转换效率，减小系统体积，并增强整体可靠性。需要注意的是，该产品目前已标注为不适用于新设计，在为新项目选型时建议咨询制造商以获取替代方案或生命周期状态确认。

• 型号:AOD7S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:372 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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