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AOK40B60D技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 600V 80A 312.5W TO247
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AOK40B60D技术参数详情说明:

AOK40B60D是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用优化的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管(FRD)。这种架构设计有效降低了饱和压降(Vce(sat))与开关损耗之间的折衷关系,实现了更低的导通损耗和更优的开关性能,为高频率、高效率的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达600V,可稳定应对工业级三相输入等高压环境。在15V栅极驱动电压、40A集电极电流的典型工作条件下,其最大饱和压降仅为2.1V,显著降低了导通状态下的功率耗散。同时,其开关性能优异,在400V、40A的测试条件下,总的开关能量(Eon + Eoff)较低,配合138ns的快速反向恢复时间,有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰(EMI)。其栅极电荷(Qg)为63.5nC,对驱动电路的要求较为友好,便于设计。

AOK40B60D采用坚固的TO-247-3通孔封装,最大连续集电极电流(Ic)为80A,脉冲电流(Icm)可达160A,最大功耗为312.5W,结温工作范围宽达-55°C至150°C,确保了其在恶劣环境下的高可靠性与功率处理能力。这些参数使其在要求严苛的功率应用中能提供稳定、持久的性能输出。对于需要批量采购或技术支持的客户,建议通过官方AOS授权代理渠道获取产品,以确保元器件来源的正规性与技术服务的专业性。

综合其高电压、大电流、低损耗及快速开关的特性,该IGBT非常适用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机以及各类开关模式电源(SMPS)的功率级。在这些场景中,它能够有效提升系统能效,减少散热需求,并有助于实现设备的小型化与轻量化设计。

  • 制造商产品型号:AOK40B60D
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 600V 80A 312.5W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):160A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
  • 功率-最大值:312.5W
  • 开关能量:1.72mJ(开),300J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:63.5nC
  • 25°C时Td(开/关)值:28ns/77ns
  • 测试条件:400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V
  • 反向恢复时间(trr):138ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOK40B60D现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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