AON7462技术参数

AON7462是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装器件中。该器件专为在高压、高效率的开关应用中实现优异的性能与可靠性而设计，其核心架构基于优化的单元结构和工艺，旨在平衡导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数，从而在系统层面降低导通损耗和开关损耗。

该MOSFET具备300V的漏源击穿电压（Vdss），提供了宽裕的电压裕量，适用于离线式电源等高压环境。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、900mA漏极电流条件下典型值仅为1.5欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值5.6nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值240pF @ 25V）显著降低了栅极驱动需求，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，AON7462在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）为900mA，而在管壳温度为25°C时可达2.5A，展现了其强大的电流处理能力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了稳健的驱动兼容性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。其最大功耗在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达25W，结合-50°C至150°C的宽结温工作范围，保证了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要本地技术支持与供应的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料与设计支持。

凭借其高压、低导通电阻、快速开关以及紧凑的DFN封装特性，AON7462非常适合于一系列要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括AC-DC开关电源中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、电机控制辅助电源以及各种离线式变换器拓扑。其小型化封装也使其成为空间受限的便携式设备或高密度电源模块的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7462
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 300V 900MA/2.5A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：300V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：900mA（Ta），2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：240pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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