AOK5N100技术参数

作为一款高性能的功率开关器件，AOK5N100采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构基于N沟道设计，确保了在高压应用中的可靠性与效率。该器件在单晶硅衬底上集成了优化的单元结构，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡。其坚固的体二极管特性也为感性负载下的续流操作提供了保障。

该芯片的功能特点突出体现在其高压耐受与快速开关能力上。高达1000V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合的电压应力。在10V的标准驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在4A的连续漏极电流（Id）下，导通损耗被显著抑制。同时，最大仅23nC的栅极电荷（Qg）与1150pF的输入电容（Ciss）共同决定了其优秀的开关性能，有助于提升系统整体频率并降低驱动损耗。

在电气参数与物理接口方面，AOK5N100提供了宽泛的工作裕度。其栅源电压（Vgs）支持±30V的最大值，增强了驱动电路的抗干扰能力。阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，确保了良好的噪声抑制与易驱动性。器件采用经典的TO-247通孔封装，具备优异的散热路径，结合高达195W（Tc）的功率耗散能力，使其能够通过外部散热器稳定工作在-55°C至150°C的结温范围内。对于需要可靠供应链与技术支持的项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗与获得完整应用支持的重要途径。

基于上述特性，AOK5N100非常适合应用于对电压等级与效率有严苛要求的场景。其主要应用方向包括但不限于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电机驱动逆变器中的高压桥臂、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器。在这些应用中，其高耐压、低导通损耗和稳健的开关特性能够有效提升系统功率密度、可靠性与能效比。

• 型号:AOK5N100
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:195W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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