AON7502技术参数

AON7502 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的 8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而设计，其核心优势在于极低的导通损耗和出色的开关性能，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

该 MOSFET 的 漏源击穿电压（Vdss）为30V，使其非常适用于常见的12V或24V总线系统。其连续漏极电流能力在环境温度（Ta）25°C下为21A，在壳温（Tc）25°C下可达30A，展现了强大的电流处理能力。更关键的是，它在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为4.7毫欧。如此低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率并减少了热管理需求。

在动态特性方面，AON7502 同样表现出色。其栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值仅为22nC，结合1022pF（在15V Vds下）的输入电容（Ciss），意味着该器件所需的栅极驱动能量较低，能够实现快速、高效的开关切换，从而降低开关损耗并允许更高的工作频率。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，而栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了稳健的驱动裕量和可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借这些特性，AON7502 非常适合要求高效率和高功率密度的现代电源管理应用。其主要应用场景包括但不限于：服务器和通信设备的同步整流及负载点（POL）转换器、笔记本电脑和台式机的DC-DC降压转换器、电机驱动控制电路以及各类电池保护和管理系统。其3.1W（Ta）和31W（Tc）的功率耗散能力，结合优异的电气参数，使其成为工程师在空间受限且对热性能和效率有严苛要求的设计中的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7502
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 21A/30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1022pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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