AOL1412技术参数

AOL1412 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用其专有 SRFET 技术平台开发的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极和单元结构设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡。其核心架构通过精密的工艺控制，在 UltraSO-8 封装内集成了一个高性能的 MOSFET 和一个低正向压降的集成体肖特基二极管，这种集成方案有效抑制了 MOSFET 体二极管在开关过程中产生的反向恢复效应，从而显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统在高频开关应用中的效率和可靠性。

在电气特性方面，AOL1412 具备 30V 的漏源击穿电压（Vdss），为其在低压大电流应用场景中提供了充足的安全裕量。其导通电阻（Rds(on)）在 Vgs=10V、Id=20A 的条件下典型值低至 3.9 毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为 115nC @ 10V，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着该器件易于驱动，能够实现快速、干净的开关切换，有助于简化栅极驱动电路的设计并提升开关频率。其电流承载能力突出，在环境温度（Ta）25°C 下连续漏极电流（Id）为 17A，而在管壳温度（Tc）条件下可达 70A，展现了出色的散热潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 获取详细的技术支持和供货信息。

该器件采用表面贴装型 UltraSO-8 封装，这种紧凑的封装形式在提供优异散热性能（最大功耗 Tc 条件下为 36W）的同时，极大节省了 PCB 板空间。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。综合其低 Rds(on)、低 Qg、集成肖特基二极管以及坚固的封装特性，AOL1412 非常适用于对效率和功率密度有高要求的同步整流、DC-DC 转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制以及各类负载开关等应用领域，是构建高效、紧凑型电源管理解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AOL1412
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 17A/70A ULTRASO8
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：115nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7716pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），36W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：UltraSO-8
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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