AON7410技术参数

AON7410是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，在硅片层面集成了优化的单元结构，旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的卓越平衡。这种核心架构设计显著降低了传导损耗和开关损耗，使其在要求高效率的功率转换应用中表现出色。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为30V，能够可靠地工作在常见的12V或24V总线系统中。其导通电阻在Vgs=10V、Id=8A的条件下典型值仅为20毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，并与4.5V至10V的标准驱动电压兼容，使其易于被主流PWM控制器或驱动IC所驱动，简化了系统设计。其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过渡时间，从而进一步提升系统整体效率。

在电气参数方面，AON7410在环境温度（Ta）25°C下的连续漏极电流（Id）为9.5A，而在借助PCB良好散热、以壳温（Tc）为参考时，该值可高达24A，展现了其强大的电流处理能力。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的功率耗散能力在环境温度下为3.1W，在壳温下可达20W，结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

基于其优异的性能组合，AON7410非常适用于对空间和效率有严格要求的DC-DC同步整流、电机驱动、负载开关以及各类电源管理模块。例如，在笔记本的CPU/GPU供电VRM、服务器电源的次级侧整流，或是便携式设备中的电池保护与功率分配电路中，它都能有效降低能耗，提升功率密度，是工程师实现高性能、高可靠性电源设计的优选功率开关器件。

• 制造商产品型号：AON7410
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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