AOT11C60技术参数

AOT11C60是Alpha & Omega Semiconductor (AOS)公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220封装，专为高压、高效率的开关应用而设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，内部集成了快速恢复体二极管，为开关过程中的感性负载能量回馈提供了低损耗路径，确保了在硬开关和软开关拓扑中的可靠性与耐用性。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压和11A的连续漏极电流能力，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源和电机驱动中常见的电压应力和电流需求。其导通电阻在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为440毫欧，较低的Rds(on)有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，42nC的栅极电荷总量和优化的内部栅极电阻，共同实现了快速的开关转换，有助于减小开关损耗并降低电磁干扰(EMI)。其栅源电压耐受范围达±30V，提供了宽裕的驱动安全余量。

在电气参数方面，AOT11C60的阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容(Ciss)在100V偏压下最大为2000pF，与栅极电荷参数共同决定了驱动电路的设计要求。器件在管壳温度(Tc)下的最大功耗可达278W，结合TO-220封装良好的热传导特性，为功率耗散提供了坚实基础。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，该器件非常适合应用于开关模式电源(SMPS)的PFC和主开关电路、不间断电源(UPS)、工业电机驱动与变频器、以及照明镇流器等场景。在这些应用中，它能够作为核心开关元件，实现高效的电能转换与控制。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续高压MOSFET产品的选型与评估提供了重要参考。

• 型号:AOT11C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:440 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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