AOL1454技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：UltraSO-8
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
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AOL1454技术参数详情说明：
AOL1454是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，封装于紧凑的UltraSO-8中。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，其核心架构针对低导通电阻与高开关效率进行了深度优化。通过精心的芯片设计与封装工艺，它在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力，为高密度电源设计提供了可靠的半导体解决方案。
该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为9毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用。
在电流处理能力方面，AOL1454表现出色。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）可达50A；即使在环境温度（Ta）下，也能承受12A的连续电流。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取该产品及相关技术支持。
凭借其高电流密度、低损耗和出色的热性能，这款MOSFET非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。它广泛应用于DC-DC转换器的同步整流和开关侧、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类负载开关设计中。其表面贴装（SMT）的UltraSO-8封装兼容自动化生产，有助于提升最终产品的生产效率和可靠性。
- 制造商产品型号：AOL1454
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：不用於新
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），50A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1920pF @ 20V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），60W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：UltraSO-8
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOL1454现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
