AOL1482技术参数

AOL1482是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术的N沟道功率器件。该芯片基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，通过优化单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计目标是在高开关频率应用中提供高效率与高可靠性，这使其成为现代电源管理解决方案中的关键元件。

该器件具备多项突出特性。其100V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，适用于多种离线或直流总线应用。导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs驱动下典型值仅为37毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC，结合较低的输入电容，显著降低了开关过程中的栅极驱动损耗，使得器件在高速开关场合下也能保持优异性能。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，AOL1482采用表面贴装型UltraSO-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为4.5A，在壳温（Tc）条件下可达28A，展现了强大的电流处理能力。驱动电压范围覆盖4.5V至10V，便于与主流控制器兼容。最大栅源电压为±20V，提供了可靠的栅极保护。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品与相关设计资源。

凭借其性能组合，AOL1482非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、LED照明驱动以及各类电源适配器中的功率开关部分。其低损耗特性对于提升电池供电设备的续航能力，或降低AC-DC电源的待机功耗具有重要价值。

• 型号:AOL1482
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:UltraSO-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A ULTRASO8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:UltraSO-8
• 封装/外壳:3-PowerSMD，引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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