AOT3N60技术参数

AOT3N60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220封装，为通孔安装设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的高效开关与功率控制。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了宽裕的安全裕度，而2.5A的连续漏极电流（Id）能力则确保了其在中小功率应用中的稳定输出。

该器件在性能上展现出多项关键特性。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、1.25A电流条件下典型值为3.5欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合370pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关电源应用至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于驱动电路设计。此外，器件支持高达±30V的栅源电压，增强了抗干扰能力，其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。

在电气参数方面，AOT3N60在25°C壳温（Tc）下的最大功率耗散为83W，体现了其良好的散热潜力。其驱动电压要求为10V，这是实现最小导通电阻的典型条件。用户可通过AOS中国代理获取详细的技术资料与支持。这些接口与参数特性共同定义了其在功率转换电路中的角色。

基于其高压、中等电流和快速开关的特性，该器件非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效承担功率开关任务，实现高效的电能转换与控制。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为理解同类高压MOSFET的应用提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AOT3N60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：370pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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