AON7902技术参数

AON7902是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进Power MOSFET技术的双N沟道功率器件，采用紧凑的8-PowerWDFN封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，构成一个高效的半桥拓扑基础单元，其核心设计旨在通过优化单元密度和沟道工艺，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现极低的导通损耗和出色的开关性能。

该芯片的一个显著特点是其优异的导通电阻特性，在10V栅极驱动电压和8A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至21毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。其逻辑电平门控设计（Vgs(th)最大值为2.3V）确保了它能与常见的3.3V或5V微控制器及驱动电路直接兼容，简化了系统设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这使得开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适合高频开关应用。

在电气参数方面，AON7902在25°C环境温度下，两个通道的连续漏极电流（Id）额定值分别为8A和13A，最大功耗为1.8W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，展现了强大的电流处理能力和可靠的热性能。其表面贴装型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了散热路径。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取产品技术支持和供货信息。

基于其高性能和紧凑型设计，AON7902非常适用于空间受限且对效率要求苛刻的DC-DC同步整流转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池管理系统中。它能够有效提升电源模块的功率密度和转换效率，是构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件之一。

• 制造商产品型号：AON7902
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A，13A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：710pF @ 15V
• 功率-最大值：1.8W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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