AON7426_101技术参数

AON7426_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，集成于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装内，其设计旨在提供优异的功率密度和热性能。其核心架构优化了单元结构和沟道设计，以实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，这对于提升功率转换效率至关重要。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻表现突出，在10V栅极驱动电压、18A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(On)）仅为5.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。器件支持宽范围的栅极驱动电压，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.35V，而最大栅极电荷（Qg）在10V条件下仅为40nC，这共同确保了快速、高效的开关性能，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作。

在电气参数方面，AON7426_101的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为18A，而在管壳温度（Tc）下可高达40A，这突显了其封装的热设计优势。其最大功耗在Tc条件下可达29W。器件的输入电容（Ciss）为2120pF @ 15V，栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的驱动鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于各种环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取相关技术资料与采购信息。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电机驱动控制电路、各类负载开关以及便携式设备的电源管理模块。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代高密度电路板设计。

• 制造商产品型号：AON7426_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2120pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7426_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。