AON6160技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
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AON6160技术参数详情说明：
作为Alpha & Omega Semiconductor (AOS) AlphaSGT系列的一员，AON6160是一款采用先进屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡，通过精密的单元设计和先进的封装工艺，显著提升了功率转换效率和功率密度。该器件采用8-DFN-EP（5x6）封装，集成了裸露焊盘以增强散热性能，为高功率应用提供了可靠的物理基础。
该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（RDS(on)）典型值极低，在20A电流条件下最大值仅为1.58毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为120nC，较低的开关电荷有助于减少开关损耗，特别适合高频开关应用。结合高达100A（Tc=25°C）的连续漏极电流和215W（Tc）的最大功率耗散能力，AON6160展现出卓越的电流处理与散热性能。
在电气参数方面，器件具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和±20V的栅源电压（VGS）耐受范围，提供了稳健的操作窗口。其阈值电压（VGS(th)）最大为3.4V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化栅极驱动电路设计。宽广的结温工作范围（-55°C至150°C）和表面贴装形式，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关服务。
基于其高性能指标，AON6160非常适用于对效率和功率密度要求苛刻的应用场景。它是同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）以及各类电源管理系统的理想选择。在服务器电源、通信基础设施、工业自动化设备和新能源领域，该器件能够有效提升系统整体能效和可靠性。
- 制造商产品型号：AON6160
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：AlphaSGT
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.58 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：120nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7790pF @ 30V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：215W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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