

AON7934技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-WDFN
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
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AON7934技术参数详情说明:
AON7934是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计生产的双N沟道功率MOSFET阵列,采用紧凑的8引脚DFN封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET,构成一个半桥拓扑结构的基础单元,其核心架构旨在实现高效的功率切换与控制。每个MOSFET均采用先进的沟槽技术制造,以实现极低的导通电阻和快速的开关特性,这对于提升系统整体效率、减少功率损耗至关重要。
该芯片的功能特点突出表现在其优异的电气性能上。其漏源电压(Vdss)额定值为30V,能够满足多种中低压应用场景的需求。在25°C环境下,连续漏极电流(Id)分别可达13A和15A,展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻(Rds(on)),在10V栅极驱动电压和13A电流条件下,最大值仅为10.2毫欧,这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。此外,作为逻辑电平门器件,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V,使其能够与3.3V或5V的现代微控制器及逻辑电路直接兼容,简化了驱动电路设计。低栅极电荷(Qg,最大值11nC @ 10V)和输入电容(Ciss,最大值485pF @ 15V)确保了快速的开关速度,有助于降低开关损耗并提高工作频率。
在接口与参数方面,AON7934采用表面贴装型(SMT)的8-WDFN封装,具有优异的热性能和节省空间的特点,非常适合高密度PCB布局。其最大功耗为2.5W,工作结温范围宽达-55°C至150°C,保证了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过AOS一级代理进行采购是确保产品来源正规和获得专业服务的重要渠道。
基于其高性能参数,AON7934非常适合应用于需要高效率、高功率密度的领域。典型的应用场景包括DC-DC同步整流转换器、电机驱动控制(如无人机、小型机器人)、负载开关以及电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。其半桥结构使其成为构建H桥电机驱动器或非隔离式降压/升压转换器中开关节点的理想选择,能够有效提升终端产品的能效和可靠性。
- 制造商产品型号:AON7934
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:2 个 N 通道(半桥)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):13A,15A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.2 毫欧 @ 13A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):485pF @ 15V
- 功率-最大值:2.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-WDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AON7934现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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