AON6240技术参数

AON6240是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型封装中。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡，通过优化的单元设计和工艺制程，在有限的芯片面积内集成了卓越的导电能力。该器件能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的关键性能体现在其极低的导通损耗上。在10V栅极驱动电压、20A漏极电流的条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.6毫欧，这一特性对于降低系统功耗、提升整体能效至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为88nC @ 10V，结合2.4V @ 250A的阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。其漏源击穿电压（Vdss）为40V，为设计提供了充足的电压裕量。

在电气参数方面，AON6240在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）为27A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达85A，展现了其强大的电流处理能力。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了稳健的驱动保护。功率耗散能力在环境温度下为2.3W，在管壳温度下则达到83W，这要求在实际应用中配合有效的散热设计以充分发挥其性能潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取该产品及相关技术支持。

基于其低导通电阻、快速开关特性以及稳健的封装，AON6240非常适用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、电动工具及无人机的电机驱动控制、以及各类电池管理系统的保护开关和负载开关电路。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式电子设备中功率路径管理的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6240
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：88nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6550pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6240现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。