AON6250技术参数

AON6250是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（5mm x 6mm）表面贴装器件中。该器件旨在为需要高效率和高功率密度的应用提供卓越的开关性能和热管理能力。

其核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的出色平衡。在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其最大导通电阻仅为16.5毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷控制在43nC（@10V），有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，从而提升系统整体效率。

该器件具备150V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于离线式开关电源的初级侧或各种桥式拓扑。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为13.5A，在壳温（Tc）25°C下高达52A，展现了强大的电流处理能力。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.4V，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。其最大结温（TJ）范围为-55°C至150°C，结合高达104W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在严苛的热环境中稳定工作。对于需要本地技术支持与供货保障的设计团队，可以通过AOS中国代理获取详细的技术资料与供应链支持。

在接口与参数方面，AON6250采用标准的MOSFET三端口（栅极、漏极、源极）配置，兼容主流驱动IC。其输入电容（Ciss）在75V Vds下最大为2388pF，是评估开关速度的重要参数。DFN封装具有优异的热性能，底部的裸露焊盘（Exposed Pad）便于将热量高效传导至PCB，是实现小型化、高可靠性设计的理想选择。

凭借其高耐压、低导通电阻和高电流能力的组合，AON6250非常适合于服务器/数据中心电源、工业电源、电机驱动、光伏逆变器以及电动汽车车载充电机（OBC）等领域的功率转换应用。它能够在AC-DC转换器的PFC（功率因数校正）级、DC-DC转换器的同步整流或开关拓扑中作为主开关管，有效提升系统功率密度和能效。

• 制造商产品型号：AON6250
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：150V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），52A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2388pF @ 75V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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