AON6260技术参数

AON6260是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其8-DFN（5x6）的紧凑型表面贴装封装，集成了优化的单元设计和先进的沟槽工艺，为高功率密度应用提供了坚实的物理基础。

在电气特性方面，该器件展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够满足多种中压应用场景的需求。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V，Id=20A的条件下典型值低至2.4毫欧，这一关键参数直接决定了导通状态下的功率损耗水平，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为115nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，进一步优化电源系统的尺寸与成本。

该MOSFET的驱动特性设计兼容广泛的控制器，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而推荐的驱动电压范围在4.5V至10V之间，以实现最小导通电阻，最大栅源电压可承受±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。其电流承载能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达85A，在环境温度（Ta）下为41A，配合高达104W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在高负载下的可靠运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）也使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取相关服务与资源。

基于其优异的性能参数，AON6260非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、锂离子电池保护电路以及各类高效的同步整流方案。其低导通电阻与低栅极电荷的组合，使其成为构建高效率、高频率开关电源系统的理想选择，有助于工程师实现更紧凑、更节能的终端产品设计。

• 型号:AON6260
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 41A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5578 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6260现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。