AON6276技术参数

AON6276是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的AlphaSGT（屏蔽栅沟槽）技术平台构建，这一架构通过在传统沟槽MOSFET结构中集成一个屏蔽电极，有效优化了电场分布。这种设计不仅显著降低了器件的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），还实现了导通电阻（Rds(on)）与器件电容之间的优异平衡，从而在开关性能和传导损耗方面提供了卓越的综合表现。

其核心电气特性使其在众多应用中成为高效功率转换的关键元件。高达80V的漏源击穿电压（Vdss）确保了其在常用48V及以下总线系统中的可靠工作裕量。在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至2.6毫欧（@20A），这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，100A的连续漏极电流（Id）承载能力与215W（Tc）的最大功率耗散，使其能够处理高功率密度设计中的大电流与热耗散需求。

在动态特性方面，该器件同样表现出色。最大栅极电荷（Qg）仅为100nC（@10V），较低的Qg意味着栅极驱动电路所需的驱动能量更小，有助于简化驱动设计并降低开关损耗。其输入电容（Ciss）与栅极电荷的优化组合，使得开关速度更快，开关过程中的能量损失更少。器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装，这种封装具有良好的热性能，通过裸露的焊盘（EP）将热量高效传导至PCB，有助于在-55°C至150°C的宽结温（TJ）范围内稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方AOS授权代理获取此产品。

基于其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，AON6276非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业电源、通信基础设施的DC-DC转换器、电机驱动与控制系统、以及电动工具、无人机和轻型电动车中的电池管理系统（BMS）和电机控制器。在这些领域中，它能够有效提升能源利用效率，减小系统体积与热设计复杂度。

• 制造商产品型号：AON6276
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4940pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：215W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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