AOK29S50L技术参数

AOK29S50L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET结构，通过优化的单元设计和工艺制程，在TO-247封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线波动。在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）高达29A，配合仅150毫欧（@ 10V Vgs, 14.5A Id）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在大电流工作状态下极低的通态损耗。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了充足的驱动裕量；而10V的驱动电压即可获得最小导通电阻，有助于简化驱动电路设计。

在动态参数方面，AOK29S50L同样表现出色。在10V Vgs条件下，栅极总电荷（Qg）最大值仅为26.6nC，结合1312pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于高频开关应用尤为重要。其最大阈值电压（Vgs(th)）为3.9V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件采用坚固的TO-247通孔封装，最大功耗可达357W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的高可靠性和散热性能。如需获取官方技术支持和批量供应，可以联系AOS总代理。

综合其高耐压、大电流、低导通电阻及优异的开关特性，AOK29S50L非常适用于对效率和可靠性要求极高的场合。典型应用包括服务器/通信电源的PFC（功率因数校正）电路、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、大功率DC-DC转换器以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元器件。

• 制造商产品型号：AOK29S50L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 29A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1312pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：357W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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