AON6294技术参数

AON6294是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率和高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关性能，使其成为高频开关应用的理想选择。

该MOSFET的突出特性在于其优异的低导通电阻与高电流处理能力的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至10毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了宽裕的电压裕量，增强了系统的可靠性。其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源的转换频率和效率至关重要。

在电气参数方面，AON6294在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为17A，而在管壳温度下可高达52A，展现了强大的电流承载潜力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗干扰能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达57W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应严苛的热环境，确保稳定运行。如需获取官方技术支持和样品，可通过AOS授权代理进行咨询和采购。

凭借这些综合性能，该器件非常适合应用于需要高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、锂离子电池保护电路以及各类负载开关。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代便携式电子设备、网络设备和工业自动化模块，帮助设计工程师在提升功率密度的同时，优化系统的整体能效和热管理。

• 型号:AON6294
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 17A/52A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2265 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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