AON7826技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerSMD，扁平引线
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN
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AON7826技术参数详情说明：

AON7826是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的双N沟道功率MOSFET阵列，采用先进的平面工艺制造，集成于紧凑的8-PowerSMD（扁平引线）封装内。该器件采用双N-通道架构，每个通道均设计为逻辑电平门驱动，这意味着它可以直接由低电压（如3.3V或5V）的微控制器或数字信号处理器（DSP）的GPIO口高效驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了外围元件成本。

其核心特性在于优异的导通性能与开关效率。在10V栅极驱动电压下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至23毫欧（@9A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC（@10V），结合630pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换速度，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。其漏源击穿电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）高达9A，提供了稳健的功率处理能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料与技术支持。

在电气参数方面，该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.1V，进一步印证了其优秀的逻辑电平兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。最大功耗为3.1W，采用表面贴装形式，便于自动化生产并节省PCB空间。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数仍代表了其在特定应用领域曾具备的竞争力。

基于其低导通电阻、快速开关特性以及逻辑电平驱动的便利性，AON7826非常适用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的低侧开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、以及负载开关和电源路径管理。其双通道集成的特点，使得它在空间受限的便携式设备、计算主板、服务器电源模块及各类工业控制板的功率分配单元中，能够有效减少元件数量并优化布局。