AOL1413技术参数

AOL1413是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的UltraSO-8封装，专为高密度、高效率的电源管理应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在有限封装尺寸内提供高达38A的连续漏极电流能力，同时确保出色的热性能和电气可靠性。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的导通性能与快速开关能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至17毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为38nC @ 10V，结合2200pF @ 15V的输入电容，显著降低了开关损耗，并允许使用更小、更快的栅极驱动器，从而提升整体开关频率和功率密度。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了稳健的驱动裕量。

在电气参数方面，AOL1413的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V和24V总线系统。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V @ 250A，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件的功率处理能力突出，在壳温（Tc）条件下最大功耗可达38W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于需要本地技术支持与供应的用户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料与供应链支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，AOL1413非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的场景。其主要应用方向包括服务器、通信设备的负载点（POL）转换器、同步整流、电机驱动控制以及电池保护电路中的高端开关。其表面贴装型UltraSO-8封装也使其成为现代紧凑型电源模块和主板设计的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类解决方案提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AOL1413
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 38A ULTRASO-8
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：38A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），38W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：UltraSO-8
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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