AON7514技术参数

AON7514是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换和开关控制而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在显著降低导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），这两项关键参数的平衡对于提升开关电源的效率和频率响应至关重要。

该MOSFET具备出色的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度（Ta）下，连续漏极电流（Id）额定值为20A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可提升至30A，展现了其强大的电流处理能力。其导通电阻极低，在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，并与最大22.5nC的栅极电荷（Qg @ 10V）相结合，意味着它能够被标准逻辑电平或低电压PWM控制器轻松、快速地驱动，从而减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与热性能方面，该器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的栅极可靠性裕量。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为951pF，有助于实现快速的开关瞬态响应。为了确保在严苛应用中的稳定运行，AON7514的结温工作范围宽达-55°C至150°C。其热管理能力突出，在环境温度下最大功率耗散为3W，而在管壳温度条件下可高达23W，这要求在实际应用中配合有效的散热设计以充分发挥其性能潜力。对于需要获取详细技术资料或采购支持的工程师，可以联系官方授权的AOS代理。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电机驱动控制电路、锂电池保护模块以及各类负载开关。其DFN封装形式尤其契合现代紧凑型电子设备的设计需求。需要注意的是，根据原始参数，此产品系列状态已标注为停产，在新设计选型时应参考制造商的最新产品线或咨询其代理商以获取替代方案。

• 型号:AON7514
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:951 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7514现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。