AON6504技术参数

AON6504是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效热管理的应用而优化。其核心架构基于低栅极电荷和低导通电阻的设计理念，旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体效率。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值高达51A（Ta），而在管壳温度下更能达到85A（Tc），展现了其强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）极低，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，最大值仅为1.8毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。此外，其栅极驱动特性优异，最大栅极阈值电压Vgs(th)为2.2V，标准逻辑电平即可有效驱动；在10V驱动电压下，栅极总电荷（Qg）最大值控制在60nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路的负担。

在接口与参数方面，AON6504的栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了稳健的驱动保护。其输入电容（Ciss）在Vds=15V时最大值为2719pF。器件的热性能参数同样关键，其最大功耗在环境温度下为7.3W（Ta），在管壳温度下可达83W（Tc），结合DFN封装优良的热阻特性，确保了在高负载下的可靠运行。工作结温范围覆盖-55°C至150°C（TJ），使其能够适应严苛的工业环境。对于采购与技术支持，AOS总代理是获取原厂规格书、应用支持及可靠供货渠道的重要联系方。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关性能，AON6504非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能指标，仍为后续产品开发与选型提供了重要的技术参考基准。

• 型号:AON6504
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2719 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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