AON6514_102技术参数

AON6514_102是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而优化。其核心架构基于低栅极电荷和低导通电阻的设计理念，旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，提供了稳健的电压裕量。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为23A，而在管壳温度（Tc）下可达30A，表明其具备出色的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A测试条件下，最大值仅为5毫欧，这一低阻值特性对于减少导通状态下的功率损耗至关重要。栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V @ 250A，结合最大±20V的栅源电压（Vgs）耐受能力，为驱动电路设计提供了灵活性和可靠性保障。

在动态特性方面，AON6514_102的栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为22.5nC，输入电容（Ciss）在15V条件下最大值为951pF。这些较低的电荷与电容参数共同作用，可实现快速的开关切换，减少开关过渡时间，从而进一步降低高频应用中的开关损耗。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下为25W，工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。对于需要获取此型号技术详情或采购支持的工程师，可以咨询官方AOS代理商。

综合其电气参数，该器件非常适合应用于需要高效率电源转换的领域。其低导通电阻和快速开关特性使其成为同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）以及电机驱动控制电路中理想的高侧或低侧开关。在服务器电源、通信设备、笔记本电脑适配器以及各类便携式电子设备的电源管理模块中，都能发挥其高性能优势，有助于实现更小体积、更高效率的电源解决方案。

• 制造商产品型号：AON6514_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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