AON6522技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6522 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，设计用于在紧凑的封装内实现极低的导通损耗和高电流处理能力。该器件采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，其热增强型设计优化了从芯片到PCB的散热路径，使得在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流可达71A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达200A的电流，这使其在空间受限的高功率密度应用中表现出色。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其最大值仅为0.95毫欧。如此低的导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V时为145nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而支持更小型化的磁性元件设计。其驱动电压范围宽泛，最小Rds(on)在4.5V时即可获得，兼容标准逻辑电平驱动，而最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的鲁棒性。

在电气参数方面，AON6522 的漏源击穿电压（Vdss）为25V，适用于常见的12V或24V总线系统。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，确保了可靠的开启与关断特性。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为7036pF，这是评估开关速度的重要参数之一。器件的功率耗散能力在环境温度下为7.3W，而在管壳温度下可达83W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取更详细的产品资料和供应链服务。

凭借其高电流、低阻抗和优异的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括服务器和电信设备的DC-DC同步整流、高密度电源模块、电机驱动控制以及各类负载开关。尤其是在需要处理大电流的降压转换器（Buck Converter）中，作为下管或上管使用，能够显著降低整体功耗，提升电源系统的功率密度和可靠性。

• 制造商产品型号：AON6522
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：71A（Ta），200A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.95 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：145nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7036pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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