AON6590技术参数

AON6590是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术的N沟道功率器件。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。其架构优化了单元密度与沟槽结构，有效降低了导通电阻与寄生电容，为开关电源应用提供了优异的电气性能基础。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通损耗与快速的开关性能。在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至0.99毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为100nC（@10V），结合8320pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升高频工作能力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动耐受性。

在电气参数方面，AON6590具备40V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为67A，在管壳温度（Tc）25°C下可达100A，展现出强大的电流处理能力。该器件在4.5V的低栅极电压下即可开启，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V（@250A），兼容主流低压逻辑驱动，便于电路设计。其最大功耗在Tc条件下高达208W，散热性能优异。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品技术与供货信息。

凭借其高性能指标，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。其主要应用领域包括服务器及数据中心的高效DC-DC电源模块、电信基础设施的负载点（POL）转换器、高性能显卡的VRM（电压调节模块），以及各类工业电源和电机驱动电路。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代电子设备，是实现高可靠性电源解决方案的关键组件之一。需要注意的是，根据制造商信息，此产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

• 型号:AON6590
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):67A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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