AON7510技术参数

AON7510是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的AlphaMOS系列高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，在紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装内，实现了优异的电气性能与热管理能力，专为需要高效率和高功率密度的现代电源与电机控制应用而设计。

其核心架构优化了单元密度与沟道设计，使得器件在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达45A（环境温度Ta）或75A（壳温Tc）的连续漏极电流。这一高电流处理能力得益于其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为1.25毫欧，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极驱动特性经过精心调校，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为140nC，这有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与关键参数方面，AON7510支持高达±20V的栅源电压，确保了驱动设计的鲁棒性。其输入电容（Ciss）在15V条件下最大为4500pF，结合优化的封装热阻，使得器件在-55°C至150°C的结温范围内，能有效管理热耗散，最大功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达46W。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

基于上述特性，AON7510非常适用于对空间和效率有严苛要求的应用场景。它常见于服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率转换模块、电动工具及无人机的电机驱动控制器、以及各类便携式设备中的负载开关和电池管理电路。其出色的电流能力、低导通电阻和良好的热性能，使其成为中低压、大电流开关电源和电机驱动方案的理想选择。

• 型号:AON7510
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 45A/75A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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