AON2407技术参数

AON2407 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的 P 沟道功率 MOSFET。该器件采用紧凑的 6-DFN-EP（2x2）表面贴装封装，集成了低导通电阻与快速开关特性，旨在为空间受限的现代电子设备提供高效的电源管理解决方案。

其核心架构基于成熟的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，通过优化单元结构和工艺，实现了在 P 沟道器件中相对较低的导通损耗。在 10V 驱动电压（Vgs）和 6.3A 漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为 37.5 毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 21nC @ 10V，结合 746pF @ 15V 的输入电容（Ciss），确保了开关过程迅速且栅极驱动损耗可控，有利于在高频开关应用中提升整体性能。

该器件具备 30V 的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其栅源电压（Vgs）耐受范围为 ±12V，增强了驱动电路的鲁棒性。开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1.5V @ 250A，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化了系统设计。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行，最大功耗为 2.8W（Ta）。

凭借其高电流处理能力（连续漏极电流 6.3A）与优异的开关性能，AON2407 非常适合应用于负载开关、电源路径管理、电池保护电路以及 DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。在便携式设备、分布式电源系统及电机控制等场景中，它能有效减少功率损耗，提升能量利用率。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购咨询，以获取完整的器件资料与供应链支持。

• 制造商产品型号：AON2407
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37.5 毫欧 @ 6.3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：746pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-DFN-EP（2x2）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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