AON6524_001技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6524_001 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在显著降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），这两项关键参数的平衡对于提升开关电源的转换效率和降低开关损耗至关重要。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源电压（V_DSS）额定为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其导通电阻在10V栅极驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，典型值低至5毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为23nC（@10V），结合2.3V（最大值）的低栅极阈值电压（V_GS(th)），意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，从而降低高频应用中的开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

该器件的电流处理能力突出，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）高达68A，即使在环境温度（T_A）下也支持27A，展现了强大的功率输出潜力。其最大允许栅源电压（V_GS）为±20V，提供了较宽的安全驱动裕量。封装热性能方面，其最大功耗在壳温下可达35.5W，结合DFN封装优良的热传导特性，有助于系统散热设计。广泛的AOS中国代理网络能够为本地客户提供及时的技术支持和供应链服务。

凭借其优异的性能组合，AON6524_001非常适合于对效率和空间有严苛要求的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）中的理想选择，广泛应用于计算设备（如主板VRM、显卡）、网络通信设备、工业电源模块以及便携式电子设备的电源管理单元中。其稳健的设计支持-55°C至150°C的结温工作范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。

• 制造商产品型号：AON6524_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/68A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），68A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5.7W（Ta），35.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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